کلاس آموزشی الکترونیک 1 دکتر مالکی- موسسه پارسه

**IMAN** · 10-12-2010 08:15 AM

با سلام
در این تاپیک قصد داریم تا همگام با کلاس های الکترونیک1 دکتر مالکی در دانشگاه سمنان به بررسی تخصصی در این درس پرداخته و جلسه به جلسه جزوه را قرار داده.
ضمنا در این جزوات و مباحث سعی شده تا از کلاس های الکترونیک پارسه و جزوات این موسسه استفاده گردد و به حل تشریحی نمونه سوالات مهم کنکور نیز پرداخته شود.

الکترونیک 1

مباحث درس

نیمه هادی ها
دیود پیوندی
مدارهای دیودی
ترانزیستور پیوندی دوقطبی
مدارهای بایاس ترانزیستور
تقویت کننده های ترانزیستوری
ترانزیستورهای اثر میدان

ارزیابی

تمرین های طول دوره 10%
امتحان های طول دوره 45%
امتحان پایان دوره 45%

تمرین ها

تمرین سری اول
تمرین سری دوم
تمرین سری سوم
تمرین سری چهارم
تمرین سری پنجم
تمرین سری ششم
تمرین سری هفتم

مستندات مرتبط

فایل ارائه آموزش نرم افزار PSpice

مراجع

مبانی الکترونیک - جلد اول (ویرایش دوم) ، علی میرعشقی، انتشارات شیخ بهایی،.
راهنمای جامع PSpice، مارک هرنیتر، ترجمه علی مالکی، انتشارات کانون نشر علوم.

ادامه ی مراجع و منابع در [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ] الکترونیک 1

**IMAN** · 10-12-2010 08:44 AM

به نام آفریننده کائنات

جلسه اول:
لازم دانستیم که قبل از شروع درس به معرفی منابعی که در تهیه این جزوات از آنها استفاده کرده ایم را نام ببریم:
1-الکترونیک پارسه
2-الکترونیک میر عشقی
3-جزوه الکترونیک دکتر میر عشقی(دانشگاه صنعتی شریف)
4-کلاس های آموزشی دکتر مالکی(دانشگاه سمنان)
مبحث اول:نیمه هادی ها
ابندا به تقسیم بندی مواد از دیدگاه الکتریکی پرداختیم و برای این موضع مدل اتمی بوهر معرفی و تشریح شد.
و نظریه گاز الکترون مطرح گردید و فرمول های کاربردی از این موضوع نیز اضافه گردید
برای این 2 موضوع نکات کنکوری و مهم(کلاس های پارسه و جزوات پارسه) بیان شد و به صورت برجسته مطرح گردید.

بعد از بیان مطالب بالا به تشریح گامل مبحث نیمه هادی ها پرداختیم:
"در نیمه هادی ها با عواملی چون تغییرات دما,تزریق ناخالصی,و تابش نور می توان هدایت الکتریکی را به میزان چشمگیری تغییر داد"
حامل های جریان در نیمه هادی ها:
الکترون های آزاد
حفره ها

که بحث و تشریح موضوع حامل های جریان در نیمه هادی موکول شد به جلسه بعدی

پسوورد فایل: [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

**IMAN** · 10-12-2010 05:57 PM

در این جلسه در ابتدا به ادامه بحث حامل های جریان در نیمه هادی ها پرداختیم:
بعد از بیان نکات مفید این مبحث به بیان موضوع ناخالصی در نیمه هادی ها پرداختیم:
و با توضیح کامل و شرح مفاهیم این موضوع به بیان نکات کنکوری این بحث نیز اشاره شد.
سپس ناخالصی ها را به دو دسته زیر تقسیم بندی نمودیم:
1-ناخالصی دهنده(DONOR)
2-ناخالصی پذیرنده (Acceptor)
سپس به بحث و بررسی در مورد این دو گروه پرداختیم و در انتها به بیان نکات و مسائل کنکوری(پارسه پرداختیم).
"در نیمه هادی نوع N اکثریت حامل های بار الکتریکی را الکترون ها تشکیل می دهند به همین جهت در این نوع نیمه هادی ها حامل های اکثریت را الکترون ها و حاملهای اقلیت را حفره ها تشکیل خواهند داد"

قانون اثر جرم:
این قانون بیان می کند که "در هر نیمه هادی اعم از خالص و یا ناخالص در روابطی که مطرح شده" صدق خواهند کرد.

بعد از بیان و بررسی فرمول های مربوط به این قانون به بررسی یک تست ارشد در این زمینه پرداختیم و نکات و فرمول های تستی و کنکوری برای کل این مبحث جلسه را در انتها با اقتباس از کلاس های موسسه پارسه مطرح کردیم

پسوورد فایل: [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]
[تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

**IMAN** · 10-13-2010 11:26 PM

تمرینات درس الکترونیک 1 دکتر مالکی برای فصل اول در پیوست قرار داده شده که باید تا شنبه همین هفته تحویل داده شود.
انشالله تا جمعه عصر حل این تمارین و جلسات آموزشی چهارم و پنجم و سوم قرار داده خواهد شد.

**IMAN** · 10-16-2010 12:59 PM

با عرض پوزش به دلیل تاخیر یک روزه در قرار دادن جلسات سوم و چهارم کلاس اموزشی.

در این جلسه ابتدا به بررسی چگالی دقیق حامل ها در نیمه هادی های P و N پرداختیم.و در انتها 4 فرمول اساسی و مهم برای این مبحث را بیان و اثبات کردیم.
سپس به تشریح مولفه های جریان در نیمه هادی ها پرداختیم که شامل دو دسته مهم هستند:
1-جریان هدایتی( conduction current)
2-جریان نفوذی یا انتشاری

بعد از توضیحی را جع به این دو جریان به بررسی و محاسبه چگالی جریان های نفوذی و هدایتی در نیمه هادی نوع N , p پرداختیم و نکات و فرمول های مهم و تستی این بخش را به طور برجسته بیان کردیم.
"نکته:جریان ناشی از الکترون ها در خلاف جهت الکترون هاست و جریان الکتریکی ایجاد شده ناشی از حفره ها در جهت حرکت الکترون ها است"

چگالی حفره ها را به همراه نمودار و شماتیک به طور مفصل توضیح دادیم. و بعد از این مباحث به بررسی محاسبه جریان داخلی ایجاد شده در نیمه هادی ها پرداختیم..
"بعد از تزریق ناخالصی به هر اتم,آن اتم به یک یون منفی ساکن تبدیل خواهد شد و این یون ها در اطراف آن صفحه فرضی یک میدان الکتریکی ایجاد می کنند که این میدان الکتریکی داخلی یک جریان هدایتی به وجود می آوردند..."

سپس بیان و اثبات شد که جریان نفوذی هم اندازه با جریان هدایتی می باشد فقط در علامت تفاوت دارند و به اثبات فرمول ها پرداختیم و در انتها فرمول ها و نکات کنکوری این مبحث را برجسته کردیم...

"جریان انتشاری در نیمه هادی نوع N:
ئر این حالت نیز همانند نیمه هادی نوع P الکترون ها از صفحه فرضی عبور کرده و سبب ایجاد جریان انتشاری می شوند..."

فرمول ها و نکات کنکوری(پارسه) این مبحث هم به صورت برجسته بیان شد.
سپس به بررسی موضوع پیوند P-N پرداختیم و روش ساخت این مواد...
رفتار یک پیوند P-N:
در ناحیه P اتم های پذیرنده یا همان یون های منفی به دلیل جذب یک الکترون و در ناحیه N اتم های دهنده یا همان یون های مثبت به دلیل از دست دادن الکترون لایه پنجم...."

سپس شماتیک پیوند را ترسیم نموده و نکات و فرمول های اساسی و پر کاربرد را با توضیح بر روی شکل بیان کردیم و برجسته نمودیم...

ادامه بحث در جلسه بعدی خواهد بود...

[تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]
پسوورد فایل: [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

**IMAN** · 10-17-2010 08:10 PM

در این جلسه ابتدا به محاسبه اختلاف پتانسیل تماس پرداختیم و به بیان و اثبات روابط این اختلاف پتانسیل ..
و در انتهای اثبات فرمول به یک رابطه کلی برای اختلاف پتانسیل تماس رسیدیم..

شدت میدان و پتانسیل الکتریکی در ناحیه تماس:
نمودار موجود در جزوه بیانگر تغیرات بار الکتریکی در ناحیه پیوند می باشد....

و بعد از بررسی دقیق این موضوع به بررسی نمودار تغییرات شدن میدان الکتریکی پرداختیم.
و نکات و فرمول های مفید و کنکوری آن را استخراج کردیم.
تعیین میزان پیشرفتگی ناحیه تهی در نیمه هادی نوع N , p:
از روی نمودار ها به بررسی دقیق این موضوع پرداختیم و فرمول ها و روابط اساسی را ارائه کردیم.

اعمال ولتاژ خارجی پیوند P-N:
ابتدا چند نکته از کلاس های موسسه پارسه را بیان کردیم و سپس به بررسی اتصال یک منبع ولتاژ به دو سر پیوند یا همان بایاس کردن...
بایاس را به دو دسته تقسیم کردیم:
1-بایاس مستقیم
2-بایاس معکوس

و سپس به بررسی هر کدام از این بایاس ها پرداختیم و نکات و فرمول های اساسی و کنکوری آن را برجسته کردیم.

بعد از بیان چنید نکته مفید از کلاس های موسسه پارسه به بررسی دقیق تر جریان اشباع معکوس پرداختیم.
جریان اشباع معکوس:در بایاس معکوس با افزایش ولتاژ بایاس شده جریان حامل های اقلیت افزایش می یابد و سریعا به حداکثر مقدار خود رسیده که این حداکثر جریان را جریان اشباع معکوس گویند..

در انتهای این جلسه نکات ارزشمندی ارائه گردید و مثال های جامعی به همراه حل تشریحی قرار داده شده مکه در درک بیشتر موضوع کمک شایانی خواهد کرد
در انتهای این جلسه فصل اول هم تمام شد و نمونه سوال ها,تمرینات به همراه حل تشریحی سوالات منتخب کنکورهای سراسری و پارسه در روزهای اتی به همراه جلسات پنجم و ششم قرار داده خواهد شد.

[تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

[تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]
پسوورد فایل: [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

**IMAN** · 10-17-2010 08:32 PM

سری دوم تمرینات کلاس دکتر مالکی قرار داده شده است که بعد از قرار گرفتن جلسات پنجم و ششم درس تا پایان همین هفته حل تشریحی این تمارین هم قرار داده خواهند شد.
موفق و سر بلند باشید

**IMAN** · 10-22-2010 08:42 PM

در این جلسه فصل دوم را با عنوان دیود پیوندی شروع خواهیم کرد..
ابتدا به معرفی دیود پیوندی و شماتیک مداری ان پرداختیم
شیوه های بایاس را مطرح و شرح دادیم:
1-بایاس مستقیم
2-بایاس معکوس
سپس منحنی مشخصه کلی برای یک دیود را ترسیم کرده و از روی نمودار به بحث بر روی نواحی مختلف این نمودار و بیان نکات کنکوری این نمودار پرداختیم..
"در بایاس مستقیم وقتی ولتاژ دو یر دیود به تدریج افزایش یابد جریان نیز به تدریج افزایش می یابد..."
مواردی از قبیل نواحی روشن و خاموش بودن دیود از روی منحنی مشخصه و نیز ولتاژ آستانه هدایت و ناحیه شکست دیود نیز به طور مفصل شرح داده شد.

و در انتها به بیان نکات کنکوری کلاس های موسسه پارسه در مورد این نمودار پرداختیم..

پدیده شکست دیود مطرح گردید و به طور مفصل به همراه نمودار ها و بیان فرمول های مفید و اصلی توضیح داده شد..
سپس پدیده های شکست را به دو دسته:
1-پدیده ضرب بهمنی
2-پدیده شکست زنری
تقسیم کرده و به طور مشرح در مورد هریک توضیح داده شد و در انتهای هر مورد نکات کنکوری و مهم آنها برجسته گردید.
سپس به بررسی مقاومت های دیود پرداختیم:
1-مقاومت استاتیک
2-مقاومت دینامیک
3-مقاومت دینامیک زنری
در مورد هریک از ین مقاومت ها به همراه نمودار های مشخصه آنها توضیحات جامعی داده شد و فرمول های اساسی و مهم آنها به همراه نکات کنکوری و فرمول های کنکوری موسسه پارسه برجسته گردید..

سپس به بررسی اثر دما برروی مقومت دیود پرداختیم:
"یک قاعده تجربی بیان می دارد که به ازای هر درجه افزایش دما ولتاژ آستانه هدایت دیود 2/5 میلی ولت کاهش می یابد.."

[تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]
پسوورد فایل: [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

**IMAN** · 10-22-2010 09:31 PM

در این جلسه ابتدا به بحث و بررسی بر محدودیت های کاربردی دیود پرداختیم:
1-حد اکثر جریان قابل مستقیم:بیشترین جریان مستقیم و معکوس قابل تحمل برای یک دیود..
2-حداکثر ولتاژ:بیشترین ولتاژ قابل تحمل برای یک دیود...

3-حداکثر توان تلفاتی:
حداکثر توانی که دیود قادر به تلف کردن آن است در صورتیکه خود آسیب نبیند.
سپس به بررسی نمودار های تلف کردن توان توسط دیود به صورت گرما پرداختیم..

4-سرعت قطع و وصل دیود:در مدار هایی که نیاز به قطع و وصل جریان داریم از دیود استفاده می کنیم که به این گونه مدارها منطقی گفته می شود...

و سپس با بحث بر روی نمودار های سوئیچینگ دیود به بررسی زمان ذخیره و زمان گذار پرداختیم..
زمان بازیابی معکوس:کل زمانی که از لحظه معکوس شدن طول می کشد تا دیود به حالت قطع برود را زمان بازیابی معکوس گویند..
سپس به بررسی نمودار های حامل های اقلیت در حالت هدایت و در خالت معکوس پرداخته و در انتها نکات کنکوری کلاس های پارسه را به صورت برجسته بیان کردیم..

بررسی انواع دیود ها:
1-دیود زنر:این دیود ها معمولا در ناحیه شکست در بایاس معکوس استفاده می شوند..
2-دیود خازنی:در بررسی این دیود ابتدا ظرفیت های خازنی پیوند را بررسی کرده و نکات و فرمول های کنکوری آن را بیان کردیم..
1-ظرفیت خازنی بار فضایی
2-ظرفیت خازنی گذاری
3-ظرفیت خازنی ذخیره
4-ظرفیت خازنی نفوذی

3-دیود شاتکی:از این دیود در بایاس مستقیم استفاده می شود و از اتصال فلز و نیمه هادی نوع N به وجود می آید.
4-دیود تونلی:در این دیود چگالی ناخالصی با دیود های معمولی بسیار بالاتر است.
5-دیود نوری:در این دیود تابش نور به محل پیوند انرژی لازم برای شکسته شدن یک پیوند کووالانسی تامین شده است و در نتیجه ...
و در همین زمینه به بررسی سلول خورشیدی پرداختیم
6-دیود نور افشان:در این دیود انرژی حاصل از بازترکیب الکترون آزاد و حفره ها به صورت فوتون تابش می کند

در انتهای انواع دیود ها نکات مهم را برجسته کردیم.

انتقال حرارت:
در این بخش نیز به انتقال حرارت در دیود ها با بیان فرمول و شکل های واضح پرداختیم.

موفق و پایدار باشید/باشگاه مهندسان سمنان
[تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]
پسوورد فایل: [تنها کاربران عضو شده قادر به دیدن لینک ها هستند.. ]

**ستاره سهیل** · 10-29-2010 10:49 AM

دستت درد نکنه ایمان جون کار ما رو راحت کردی .
جزوهات خیلی کامل هست و استفاده از این کلاس رو به همه پیشنهاد می کنم.

کاربران تگ شده

موضوع:
کلاس آموزشی الکترونیک 1 دکتر مالکی- موسسه پارسه

ابزارهای موضوع

جستجو موضوع

نحوه نمایش موضوع